时间：2025/4/27 10:06:42
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TPH2900ENH,L1Q(M) 是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，适合用于多种功率转换和电源管理应用。其封装形式为L1Q(M)，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，便于在高密度设计中使用。
这款MOSFET通常被用作开关元件，在DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池保护等电路中发挥重要作用。通过优化栅极电荷和阈值电压等参数，TPH2900ENH能够在高频工作条件下保持高效能。
型号：TPH2900ENH
封装：L1Q(M)
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏电流(Id)：26A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：10nC（典型值）
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至175℃
TPH2900ENH是一款高性能的MOSFET器件，其主要特点如下：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频应用，有助于减小无源元件的体积。
3. 高额定电流，能够承受高达26A的连续漏电流，适用于大功率场景。
4. 优秀的热稳定性，可在广泛的温度范围内可靠运行。
5. 小巧的L1Q(M)封装，节省PCB空间的同时提供良好的散热性能。
6. ±20V的栅源电压耐受能力，增强了器件的鲁棒性，防止因误操作导致损坏。
这些特性使TPH2900ENH非常适合要求高效能和高可靠性的应用场景，例如同步整流、负载切换以及电机控制等领域。
TPH2900ENH,L1Q(M)广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 电池管理系统(BMS)，用于电池充放电保护和均衡。
3. 各类负载开关设计，如USB端口保护和电源路径管理。
4. 电机驱动电路，支持无刷直流电机(BLDC)和其他小型电机控制。
5. 过流保护和短路保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率分配和信号隔离。
由于其出色的电气特性和可靠性，TPH2900ENH成为众多高功率密度应用的理想选择。
TPH2800ENH, TPH2910ENH
