D2583 时间：2025/8/17 3:03:57 阅读：9

D2583是一款常用的N沟道功率MOSFET，广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力的特点，适合高频开关应用。D2583通常采用TO-252（DPAK）或TO-263（D2PAK）封装，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：110A（Tc=25℃）
　　功耗（Pd）：200W
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃ 至 175℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）或TO-263（D2PAK）

特性

D2583 MOSFET采用了先进的沟槽式结构设计，使得其导通电阻非常低，从而降低了导通损耗，提高了效率。该器件在Vgs=10V时的Rds(on)最大为4.5mΩ，适合用于高效率电源转换系统。此外，D2583具有高电流承载能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。其封装设计有助于良好的散热性能，确保在高功率应用中的可靠性。
　　这款MOSFET还具备良好的热稳定性和短路耐受能力，能够在高频开关环境下稳定工作。由于其快速开关特性和低门极电荷（Qg），D2583适用于高频DC-DC转换器、同步整流器和电机控制电路等应用。同时，该器件的耐压能力强，漏极-源极击穿电压为30V，能够满足大多数低压功率应用的需求。

应用

D2583主要用于各种高功率密度和高效率的电力电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，它可以用作主开关器件，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，D2583的低导通电阻和快速开关特性有助于提升整体效率。此外，该器件也常用于电机驱动、电池管理系统、负载开关和功率因数校正（PFC）电路等应用。在汽车电子系统中，如车载充电器、电动工具和LED驱动器中，D2583也得到了广泛应用。