时间：2025/5/24 9:50:23
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TPH1R403NL,L1Q(M) 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沣道开关 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高切换效率的特点，适用于各种电源管理和功率转换应用。
这款 MOSFET 在设计上注重降低传导损耗和开关损耗，从而提高系统能效。其封装形式为 LFPAK56D（PowerSO8），具备出色的热性能和电气性能。
型号：TPH1R403NL,L1Q(M)
最大漏源电压 Vds：40V
最大栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：37A
导通电阻 Rds(on)：1.4mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷 Qg：19nC
反向恢复时间 trr：27ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装：LFPAK56D
TPH1R403NL,L1Q(M) 具有非常低的导通电阻（Rds(on) 仅为 1.4mΩ），这使其非常适合用于需要高效功率传输的应用场景。此外，该器件的快速开关能力和低栅极电荷确保了其在高频操作中的卓越表现。
其采用的 LFPAK56D 封装不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和组装。
由于其优异的电气特性和可靠性，TPH1R403NL,L1Q(M) 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关、电池保护等场合。
TPH1R403NL,L1Q(M) 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动电路
4. 工业设备中的负载开关
5. 电池管理系统（BMS）中的保护电路
6. 汽车电子中的功率管理模块
其低导通电阻和高电流能力使得该 MOSFET 成为这些应用的理想选择。
TPH1R405NL, TPH1R406NL
