电容值：820pF
　　容差：±5%
　　额定电压：50V DC
　　介质材料：金属化聚酯薄膜
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装形式：轴向引线（Axial Lead）
　　绝缘电阻：>10,000 MΩ
　　损耗因数（DF）：≤0.3%（在1kHz）
　　频率特性：适用于低频至中高频应用

50F2D821J 具有出色的电气稳定性，其金属化聚酯薄膜结构提供了良好的温度系数和低损耗特性，确保在不同工作温度下的性能一致性。该电容器的容差为±5%，适合需要较高精度的电路应用。此外，它具有较高的绝缘电阻，有助于减少漏电流，提高电路效率。电容器的额定电压为50V DC，能够满足一般工业和消费电子设备的需求。其轴向引线封装便于安装和焊接，适用于自动化生产和手工装配。50F2D821J 还具备良好的耐湿性和耐热性，可在恶劣环境中稳定工作。
　　该电容器的一个重要特性是自愈能力。由于采用了金属化薄膜技术，当电容器遭遇过电压或局部击穿时，金属化层会在故障点蒸发，从而防止永久性短路。这种自愈机制大大提高了电容器的可靠性和使用寿命。此外，50F22D821J 的低介电吸收特性使其适用于需要高精度信号处理的应用，如滤波器和振荡器电路。

50F2D821J 广泛应用于各类电子设备中，如电源供应器、滤波电路、耦合电路、去耦电路以及定时电路等。由于其高稳定性和低损耗特性，它常被用于音频设备、工业控制系统、测量仪器、通信设备和消费类电子产品。在音频设备中，50F2D821J 可用于信号耦合和滤波，以确保音质的清晰度和稳定性。在工业控制系统中，该电容器可作为去耦电容，有效滤除电源噪声，提升系统抗干扰能力。此外，在测量仪器中，其高精度和低介电吸收特性有助于提高测量的准确性。

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