IXTH14N80 时间：2025/8/6 10:32:48 阅读：24

IXTH14N80是一款由IXYS公司制造的高电压、高功率N沟道MOSFET晶体管，适用于多种高功率应用。该器件采用了先进的平面技术，提供了良好的导通和开关性能，同时具备较高的耐用性和可靠性。IXTH14N80广泛应用于工业设备、电源转换系统以及电机控制等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：14A
　　最大漏源电压：800V
　　最大栅极电压：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω
　　耗散功率：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXTH14N80 MOSFET具有多种关键特性，使其在高性能应用中表现出色。首先，该器件的高漏源电压（800V）使其适用于高压电源和需要高耐压能力的系统。此外，该MOSFET的导通电阻（RDS(on)）为0.35Ω，这有助于降低导通损耗并提高整体效率。由于采用了先进的平面技术，IXTH14N80在高频开关应用中表现出良好的性能，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电机控制电路。
　　另一个重要特性是该器件的高功率耗散能力（200W），这使其能够在高负载条件下保持稳定运行。此外，IXTH14N80支持高达±30V的栅极电压，这在设计驱动电路时提供了较大的灵活性。其TO-247封装形式有助于提高散热性能，确保在高温环境下也能保持良好的热稳定性。最后，该MOSFET的宽工作温度范围（-55°C至150°C）进一步增强了其在各种工业和恶劣环境下的适用性。

应用

IXTH14N80 MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动和控制电路、工业自动化设备以及高功率LED照明系统。该器件的高电压能力和高功率处理能力使其成为需要高效能功率转换的首选组件。此外，它也常用于电源管理模块、UPS（不间断电源）系统以及电焊设备等应用中。