L2N7002LT1G 是一款 N 沟道逻辑电平增强型功率 MOSFET,采用 SOT-23 封装形式。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性,适用于各种高效能开关应用。
其设计目标是满足现代电子设备对效率和空间的严格要求,因此它非常适合便携式设备、电源管理模块以及负载开关等场景。
最大漏源电压:70V
连续漏极电流:2A
导通电阻:0.8Ω(典型值,在 Vgs=10V 下)
栅极-源极电压:±20V
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:SOT-23
L2N7002LT1G 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻确保了较小的传导损耗,从而提高了整体效率。
2. 高速开关能力使得它能够胜任高频电路设计需求。
3. 采用紧凑型 SOT-23 封装,节省 PCB 空间。
4. 较宽的工作温度范围增强了其在极端环境下的适用性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
6. 内部结构优化以减少寄生电感和电容影响,进一步提升性能。
这些特性共同决定了 L2N7002LT1G 在众多领域中的广泛应用价值。
这款 MOSFET 常用于以下应用场景:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器或开关元件。
2. DC/DC 转换器内的高端或低端开关。
3. 电池供电设备中的负载开关或保护电路。
4. 电机驱动器中的功率级控制。
5. 各种消费类电子产品中的信号切换与传输。
L2N7002LT1G 的小尺寸和高性能使其成为设计紧凑型和高效系统时的理想选择。
AO3400
FDMQ8203
IRLML6401