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L2N7002LT1G 发布时间 时间:2025/6/17 8:32:54 查看 阅读:17

L2N7002LT1G 是一款 N 沟道逻辑电平增强型功率 MOSFET,采用 SOT-23 封装形式。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性,适用于各种高效能开关应用。
  其设计目标是满足现代电子设备对效率和空间的严格要求,因此它非常适合便携式设备、电源管理模块以及负载开关等场景。

参数

最大漏源电压:70V
  连续漏极电流:2A
  导通电阻:0.8Ω(典型值,在 Vgs=10V 下)
  栅极-源极电压:±20V
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:SOT-23

特性

L2N7002LT1G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻确保了较小的传导损耗,从而提高了整体效率。
  2. 高速开关能力使得它能够胜任高频电路设计需求。
  3. 采用紧凑型 SOT-23 封装,节省 PCB 空间。
  4. 较宽的工作温度范围增强了其在极端环境下的适用性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
  6. 内部结构优化以减少寄生电感和电容影响,进一步提升性能。
  这些特性共同决定了 L2N7002LT1G 在众多领域中的广泛应用价值。

应用

这款 MOSFET 常用于以下应用场景:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器或开关元件。
  2. DC/DC 转换器内的高端或低端开关。
  3. 电池供电设备中的负载开关或保护电路。
  4. 电机驱动器中的功率级控制。
  5. 各种消费类电子产品中的信号切换与传输。
  L2N7002LT1G 的小尺寸和高性能使其成为设计紧凑型和高效系统时的理想选择。

替代型号

AO3400
  FDMQ8203
  IRLML6401

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