时间：2025/6/27 10:48:49
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TPC8208-H是一种高性能的功率MOSFET芯片，采用N沟道增强型场效应晶体管技术。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用中。其卓越的导通电阻和快速开关特性使得TPC8208-H在高效率和低功耗设计中表现优异。
TPC8208-H具有极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频工作条件下保持高效性能，并且具备良好的热稳定性和抗静电能力（ESD）。该器件封装形式为TO-252（DPAK），使其适合表面贴装工艺并提供出色的散热性能。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：36A
导通电阻（Rds(on)）：2.8mΩ
栅极电荷：28nC
总电容：1250pF
开关速度：7ns
工作温度范围：-55℃至175℃
TPC8208-H的主要特点是低导通电阻和高电流承载能力，同时具有以下优点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保了较低的传导损耗。
2. 高速开关性能使其非常适合高频应用。
3. 良好的热稳定性有助于提高系统的可靠性。
4. 抗静电能力（ESD）达到人体模型（HBM）4级标准。
5. 表面贴装封装（TO-252/DPAK）提高了生产自动化程度，减少了安装成本。
6. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境。
TPC8208-H适用于多种功率电子设备，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 负载开关
5. 电池保护电路
6. 逆变器
7. 充电器解决方案
由于其高效的特性和紧凑的设计，TPC8208-H成为许多功率管理应用的理想选择。
TPC8208, TPC8208L, IRF8208, AO8208
