时间：2025/9/14 8:52:10
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BUK625R0-40C,118 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该元件属于功率MOSFET系列，专门设计用于高电流和高电压的应用环境。该器件采用先进的Trench技术，具备较低的导通电阻和高效的开关性能。该MOSFET封装为TO-220，便于在各种工业和消费类电子设备中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：180A
漏源击穿电压（VDS）：40V
栅源击穿电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：2.5mΩ
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220
功率耗散（PD）：250W
BUK625R0-40C,118 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），仅为2.5mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。这种特性使其非常适合用于高电流应用，例如电源管理、DC-DC转换器和电机控制。
该MOSFET采用先进的Trench技术，优化了开关速度，同时减少了开关损耗。这种设计不仅提高了器件的工作效率，还降低了电磁干扰（EMI）。此外，该器件具备较高的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下稳定运行，适应工业级应用的需求。
TO-220封装形式提供了良好的热管理和机械稳定性，使得该MOSFET可以轻松集成到各种电路设计中。由于其高可靠性和耐久性，该器件在恶劣的工作环境中依然能够保持稳定的性能。
BUK625R0-40C,118 被广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及汽车电子设备。在电源管理应用中，该MOSFET可用于高效能开关电源（SMPS），提高能量转换效率并减少热量产生。
在电机控制方面，该器件的高电流处理能力和低导通电阻使其成为驱动直流电机、步进电机和其他电机控制电路的理想选择。此外，BUK625R0-40C,118 也可用于电池管理系统，如电动汽车和储能系统中的充放电控制电路，以确保电池组的安全和高效运行。
由于其出色的性能和可靠性，该MOSFET在工业自动化、消费电子产品和汽车电子系统中都有广泛的应用。
IRF1404, STP150N4F4, FDP047N04
