KTC3879S-O-RTK 时间：2025/9/12 12:01:13 阅读：6

KTC3879S-O-RTK 是一款由 KEC（韩国电子部件公司）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于各种高效率电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，适用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机控制等应用。KTC3879S-O-RTK 采用 TO-252（DPAK）封装形式，便于散热并适用于表面贴装技术。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：40A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤3.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KTC3879S-O-RTK 具有极低的导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件的高电流承载能力使其能够胜任大功率应用，如电机驱动和电源转换。此外，KTC3879S-O-RTK 的封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。
　　该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，增强了系统的稳定性和寿命。其栅极驱动特性优化，响应速度快，适合高频开关应用。KTC3879S-O-RTK 的制造工艺确保了器件的高可靠性和一致性，适用于工业级和汽车电子应用。

应用

KTC3879S-O-RTK 主要用于需要高效率和高功率密度的电源管理应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机控制器以及负载开关。此外，该器件也可用于工业自动化设备、电动工具、电动汽车和充电器等应用领域。其优异的性能使其成为替代传统双极型晶体管（BJT）和低性能 MOSFET 的理想选择。