TP2852HCNA 时间：2025/5/12 20:47:04 阅读：8

TP2852HCNA是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换、负载开关和电机驱动等场景。该器件采用TO-252封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频应用中提供卓越的性能表现。
　　TP2852HCNA属于逻辑电平驱动系列，其栅极阈值电压较低，能够与常见的逻辑电路直接兼容，进一步简化了设计流程。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：4.6A
　　导通电阻（Rds(on)）：70mΩ
　　栅极电荷：11nC
　　总电容（Ciss）：290pF
　　功耗：1.3W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

TP2852HCNA具备以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低了传导损耗。
　　2. 高速开关能力，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
　　3. 逻辑电平兼容的低栅极驱动电压，可直接由TTL/CMOS逻辑信号驱动。
　　4. 内置静电保护（ESD Protection），增强了可靠性。
　　5. 小巧紧凑的TO-252封装形式，适合空间受限的应用场景。
　　6. 广泛的工作温度范围，支持极端环境下的稳定运行。

应用

TP2852HCNA适用于以下典型应用场景：
　　1. 开关电源中的同步整流和初级侧开关。
　　2. DC-DC转换器中的功率开关。
　　3. 负载开关，用于便携式设备和消费类电子产品。
　　4. 电机驱动器中的功率级元件。
　　5. 电池管理系统中的保护和切换功能。
　　6. 各种工业控制和通信设备中的功率管理模块。