时间：2025/10/7 2:39:19
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LKSH2103MESC是一款由LKS（珞石半导体）推出的高性能、低功耗的同步整流控制器芯片，专为反激式开关电源（Flyback Converter）中的同步整流应用而设计。该芯片通过检测功率MOSFET的漏源极电压（VDS）来智能控制外部N沟道MOSFET的导通与关断，从而替代传统肖特基二极管，显著提高电源系统的转换效率，降低热损耗。LKSH2103MESC采用高精度电压检测技术，具备优异的抗噪声能力和快速响应特性，能够在宽负载范围内实现高效同步整流，适用于多种AC-DC适配器、充电器及小功率电源系统。
LKSH2103MESC集成了多重保护机制，包括过温保护、欠压锁定（UVLO）、短路保护兼容性设计等，提升了系统的可靠性与安全性。其封装形式为SOT-23-6L或DFN小型化封装，节省PCB空间，便于在高密度电源设计中使用。该芯片工作温度范围宽，适用于工业级应用环境，同时具备良好的EMI性能，满足各类能效标准和安规认证要求，是现代高效节能电源设计的理想选择。
型号：LKSH2103MESC
类型：同步整流控制器
封装：SOT-23-6L / DFN
工作电压范围：4.5V ~ 28V
启动电压：≤4.5V
静态电流：≤1.2mA
关断阈值电压（VDS）：典型值70mV
导通延迟时间：典型值45ns
关断延迟时间：典型值60ns
最大驱动能力：200mA（源/灌电流）
工作结温范围：-40°C ~ +150°C
引脚数量：6
保护功能：UVLO，OTP，过压钳位
调制方式：电压检测型同步整流
适用拓扑：反激式（Flyback）
EMI优化：内置前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB）
LKSH2103MESC采用先进的电压检测型同步整流技术，能够精确感知外部MOSFET的漏源极电压变化，实现快速且可靠的开关控制。其内置的高精度比较器可准确识别VDS下降沿，确保在一次侧开关管关断后立即导通同步整流MOSFET，最大限度地减少死区时间，提升能量传递效率。同时，芯片集成前沿消隐（LEB）功能，在开关瞬态期间屏蔽干扰信号，有效防止误触发，增强系统稳定性。
该芯片具备极低的静态工作电流（≤1.2mA），显著降低待机功耗，满足能源之星、DoE Tier VI等国际能效标准。其宽输入电压范围（4.5V~28V）使其适用于多种输出电压配置的电源设计，包括5V、9V、12V、15V和20V等常见规格。此外，LKSH2103MESC支持高侧和低侧同步整流配置，适应不同的变压器绕组接法，灵活性强。
为了提升系统可靠性，芯片内置欠压锁定（UVLO）功能，确保在供电电压不足时自动关闭输出，防止逻辑紊乱；同时具备过温保护（OTP）机制，当芯片结温超过安全阈值时自动进入保护模式，避免因过热导致损坏。输出驱动能力强，可直接驱动多数标准电平或逻辑电平的N沟道MOSFET，无需额外缓冲电路，简化外围设计。
LKSH2103MESC还优化了动态响应性能，在轻载至满载全范围内均能保持稳定的同步整流操作，避免出现“跳周期”模式下的误关断问题。其小型化封装设计不仅节省PCB面积，还有助于改善热分布，适用于高功率密度的快充适配器、Type-C PD电源、智能家居供电模块等应用场景。整体设计兼顾效率、可靠性和成本，是中低端同步整流方案中的优选器件。
LKSH2103MESC广泛应用于各类低至中等功率的反激式开关电源中，尤其适用于追求高效率和低待机功耗的消费类电子产品电源设计。典型应用包括手机、平板电脑、蓝牙耳机等设备的充电适配器，特别是5V/1A至5V/3A范围内的USB充电器。由于其出色的能效表现，该芯片也常用于符合能源之星和欧盟CoC V5 Tier 2标准的电源产品中。
在智能家居领域，LKSH2103MESC可用于Wi-Fi路由器、智能音箱、摄像头、门铃等设备的内置电源模块，帮助降低运行温度并提升长期使用的可靠性。此外，它也适用于工业传感器、IoT终端设备、LED照明驱动电源等对体积和效率有较高要求的小功率离线式电源系统。
得益于其良好的EMI特性和抗干扰能力，该芯片在电磁环境复杂的场合仍能稳定工作，适合用于医疗辅助设备、便携式仪器仪表等对电源质量敏感的应用场景。结合主控PWM控制器（如OB2263、IP2011、LNK626等），可构建完整的高性价比、高效率AC-DC电源解决方案。
APSR3015H-HF
INN3266C
MP6908A
SY5025Q
