时间：2025/9/3 13:29:34
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TP254 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的功率晶体管，属于N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于功率开关、电机控制、DC-DC转换器、电源管理以及工业自动化等领域。TP254具备较高的耐压能力和较低的导通电阻，适用于中高功率的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：250V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：3A
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大值）
功率耗散（PD）：40W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220、D2PAK（表面贴装）
TP254的主要特性包括高耐压能力（250V VDS），适合用于中高电压应用，如工业控制和电源管理系统。其低导通电阻（RDS(on)）特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，TP254具有良好的热稳定性和高功率耗散能力（40W），能够在较为严苛的环境下稳定运行。
该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使得其在不同控制电路中都能灵活应用。TP254的封装形式包括TO-220和D2PAK，其中TO-220适合通孔安装，而D2PAK则适合高密度表面贴装技术（SMT），满足不同电路板设计的需求。
TP254具备出色的抗静电能力和良好的短路耐受性，提升了器件在实际应用中的可靠性和耐用性。此外，其快速开关特性使其适用于高频开关电源和电机控制应用。
TP254主要应用于需要中高电压和中等电流控制的场合，例如工业自动化设备、电源供应器、DC-DC转换器、电机驱动电路、继电器和负载开关控制、LED照明系统以及家用电器中的功率控制模块。其优异的性能和多种封装形式使其成为设计工程师在功率电子设计中的常用选择。
STP3NK25Z、IRF740、FDPF2540
