时间：2025/4/29 14:59:24
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WFD7N65S 是一款 N 沣道通系列的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种电源转换和电机驱动场景。
其耐压能力高达 650V，适合高压环境下的高效能量传输与控制，同时具有良好的雪崩能力和 ESD 防护特性，确保在复杂工况下的可靠性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：7A
导通电阻（典型值）：0.38Ω
栅极阈值电压：2V~4V
总功耗：15W
工作温度范围：-55℃~+150℃
WFD7N65S 的主要特性包括：
1. 耐压能力高达 650V，适合高压应用场景。
2. 具备较低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关性能，降低开关损耗，适合高频开关电路。
4. 内置 ESD 保护功能，增强器件的抗静电能力。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
6. 支持表面贴装封装 (TO-252)，方便自动化生产并节省空间。
7. 可靠性高，经过严格的老化测试和质量控制流程。
WFD7N65S 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 逆变器
4. 电机驱动和控制
5. UPS 系统
6. 工业设备中的功率转换模块
7. LED 照明驱动电路
由于其高性能和可靠性，WFD7N65S 成为许多高压、高频应用的理想选择。
IRFZ44N
FDP5800
STP7NK65Z
IXYS: IXTH7N65L
