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TP0202K-T1-E3 发布时间 时间:2025/5/29 0:49:30 查看 阅读:12

TP0202K-T1-E3是一款基于CMOS工艺设计的低功耗、高精度电压比较器芯片,适用于对电源管理、信号检测和控制电路有较高要求的应用场景。该芯片具有快速响应特性,同时支持宽工作电压范围,使其在便携式设备、工业控制和消费类电子产品中得到广泛应用。
  TP0202K-T1-E3采用了小型化封装设计,便于在空间受限的设计中使用,并且其低功耗性能非常适合电池供电的设备。

参数

工作电压:1.8V~5.5V
  静态电流:1μA(典型值)
  输入失调电压:±1mV(最大值)
  响应时间:1μs(典型值)
  工作温度范围:-40℃~+85℃
  输出类型:推挽输出
  封装形式:SOT-23

特性

TP0202K-T1-E3具备以下显著特性:
  1. 宽工作电压范围,能够适应多种供电环境。
  2. 超低静态电流,有效延长电池寿命。
  3. 高精度输入失调电压,确保信号比较的准确性。
  4. 快速响应时间,适合实时信号处理。
  5. 推挽输出设计,可直接驱动后续负载。
  6. 小型SOT-23封装,节省PCB空间。
  7. 工作温度范围广,适应多种恶劣环境。

应用

TP0202K-T1-E3适用于以下应用场景:
  1. 电池电压监测系统。
  2. 消费类电子产品的过压/欠压保护电路。
  3. 工业自动化中的信号检测与控制。
  4. 数据通信设备中的电平比较。
  5. 医疗设备中的状态监控模块。
  6. 便携式仪器仪表中的信号处理单元。

替代型号

TLV7021-Q1
  LM393
  TLV3701

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TP0202K-T1-E3参数

  • 数据列表TP0202K
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C385mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.4 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs1nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds31pF @ 15V
  • 功率 - 最大350mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称TP0202K-T1-E3TR