时间：2025/7/11 17:18:28
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IPP023N04NG是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TRENCHSTOP?技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用领域。它采用TO-252 (DPAK)封装形式，能够有效降低热阻并提高散热性能。
这款MOSFET的工作电压为40V，专为中低压应用场景设计，在效率和可靠性方面表现出色。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：23A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：19nC
输入电容：1670pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
IPP023N04NG采用了先进的TRENCHSTOP?技术，具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高开关速度，使得其能够在高频条件下保持高效运行。
3. 良好的热性能，确保在高温环境下仍能稳定工作。
4. 小巧的TO-252封装，节省PCB空间，并且便于安装与焊接。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
这些特点使IPP023N04NG成为需要高效功率转换和可靠运行的应用的理想选择。
IPP023N04NG广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或步进电机。
4. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
由于其出色的性能和可靠性，该MOSFET非常适合对效率和散热要求较高的场景。
IPP020N04S, IPP025N04N
