时间：2025/6/21 1:43:20
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RKZ18TJKGP1 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和高频逆变器等领域。该器件采用了先进的 GaN 工艺，具有极低的导通电阻和快速的开关速度，能够在高频工作条件下提供卓越的性能。
其封装形式为行业标准的 LFPAK 封装，适合表面贴装工艺，能够有效降低寄生电感对高频工作的干扰。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：18A
导通电阻：35mΩ
栅极电荷：40nC
开关频率：高达 2MHz
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：LFPAK
RKZ18TJKGP1 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以显著减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，支持高达 2MHz 的开关频率，非常适合高频应用场合。
3. 内置 GaN 技术，具备更高的功率密度和更小的热阻，从而实现紧凑型设计。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。
5. 具备优异的短路耐受能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
RKZ18TJKGP1 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 无线充电设备中的高频逆变器。
3. LED 照明驱动电路。
4. 消费类电子产品的快充适配器。
5. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
6. 新能源汽车中的车载充电机（OBC）和 DC/DC 转换模块。
RKZ18TJKGP2
RKZ18TJLGP1
GXT18A650B
