时间：2025/7/1 19:19:33
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TNM03K20B是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频和高效功率转换应用设计。该器件采用先进的封装技术，提供卓越的开关性能和低导通电阻。TNM03K20B在工作频率、效率和热性能方面表现出色，非常适合于高频DC-DC转换器、电源适配器和其他功率电子设备。
其主要特点包括高击穿电压、低导通电阻以及快速开关能力，能够显著提升系统效率并减小整体尺寸。此外，这款芯片具备良好的散热特性和可靠性，支持紧凑型设计。
额定电压：650V
额定电流：3A
导通电阻：180mΩ
栅极电荷：4.5nC
输入电容：1150pF
最大漏源电压：650V
最大漏极电流：3A
结温范围：-55℃ 至 +175℃
TNM03K20B采用了氮化镓材料，具有非常高的载流子迁移率和带隙，因此可以实现更低的导通电阻和更快的开关速度。这种材料特性使得它能够在高频条件下保持较高的效率。
它的开关损耗极低，适合用于高频场合，例如无线充电、快充适配器和服务器电源等应用。同时，由于其出色的热性能，可以在较宽的工作温度范围内可靠运行。
该器件还内置了多种保护功能，例如过流保护和短路保护，进一步提高了系统的安全性和稳定性。其小型化的封装也使它成为对空间要求严格的理想选择。
TNM03K20B广泛应用于消费类电子产品和工业领域中需要高效功率转换的应用场景。具体包括：
- 高频DC-DC转换器
- USB-PD快充适配器
- 开关模式电源（SMPS）
- 无线充电模块
- 工业电机驱动控制
- 电信和网络设备中的电源管理
通过利用其高效的功率转换能力和快速开关特性，TNM03K20B可以帮助工程师设计出更加紧凑且节能的解决方案。
TNM03K20C
TNM04K20B
