时间：2025/7/3 17:17:48
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HUF76439S3S 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 SuperFET II 技术，具有极低的导通电阻和优化的开关性能，适合高频开关应用。其封装形式为 SO8（小外形封装），适用于空间受限的设计。
该器件通常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电信系统等应用中，能够提供高效的功率转换和卓越的热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：24A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ
栅极电荷：35nC
总电容：115pF
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：SO8
HUF76439S3S 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够在高电流应用中降低功耗并提升效率。
2. 高效的开关性能，支持高频操作，减少磁性元件尺寸和整体解决方案的成本。
3. 良好的热稳定性，允许在高温环境下运行，适合工业和汽车级应用。
4. 小型化封装设计，在不牺牲性能的情况下节省了印刷电路板空间。
5. 符合 AEC-Q101 标准，确保其在恶劣环境下的可靠性。
6. 无铅且符合 RoHS 标准，满足环保要求。
HUF76439S3S 的典型应用场景包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 工业设备中的电机控制。
5. 通信基础设施中的功率分配网络。
6. 汽车电子中的各种电源管理模块，例如启动停止系统和电动助力转向系统。
HUF76439T3D, HUF76439S3D
