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HUF76439S3S 发布时间 时间:2025/7/3 17:17:48 查看 阅读:18

HUF76439S3S 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 SuperFET II 技术,具有极低的导通电阻和优化的开关性能,适合高频开关应用。其封装形式为 SO8(小外形封装),适用于空间受限的设计。
  该器件通常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电信系统等应用中,能够提供高效的功率转换和卓越的热性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:24A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  栅极电荷:35nC
  总电容:115pF
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:SO8

特性

HUF76439S3S 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够在高电流应用中降低功耗并提升效率。
  2. 高效的开关性能,支持高频操作,减少磁性元件尺寸和整体解决方案的成本。
  3. 良好的热稳定性,允许在高温环境下运行,适合工业和汽车级应用。
  4. 小型化封装设计,在不牺牲性能的情况下节省了印刷电路板空间。
  5. 符合 AEC-Q101 标准,确保其在恶劣环境下的可靠性。
  6. 无铅且符合 RoHS 标准,满足环保要求。

应用

HUF76439S3S 的典型应用场景包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代。
  3. 电池管理系统中的负载开关。
  4. 工业设备中的电机控制。
  5. 通信基础设施中的功率分配网络。
  6. 汽车电子中的各种电源管理模块,例如启动停止系统和电动助力转向系统。

替代型号

HUF76439T3D, HUF76439S3D

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HUF76439S3S参数

  • 标准包装400
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UltraFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs84nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2745pF @ 25V
  • 功率 - 最大180W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D²PAK
  • 包装管件