电容值：220pF
　　容差：±20%
　　额定电压：1000V
　　温度特性：X7R
　　封装尺寸：1812（4532公制）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：10,000MΩ min
　　介质材料：陶瓷

EKMT421VSN221MR30S 具有出色的温度稳定性，其X7R介质材料确保在宽温度范围内电容值的变化控制在±15%以内，从而保证电路的可靠性。该电容器还具有较高的额定电压，达到1000V，适合用于高压环境下的应用。
　　此外，其封装尺寸为1812（4532公制），提供了良好的机械强度和焊接稳定性，降低了因振动或机械应力导致的失效风险。由于采用陶瓷材料，该电容器在高频条件下表现出较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其适用于射频（RF）和高速电路设计。
　　该电容器的容差为±20%，适合对电容精度要求不是非常苛刻的应用场景。其高绝缘电阻特性（最小10,000MΩ）有助于减少漏电流，提高电路的整体能效。另外，该型号具有优异的抗湿性和抗老化性能，适用于长期稳定运行的工业设备。

EKMT421VSN221MR30S 通常应用于工业自动化设备、电源转换系统、电机控制电路以及消费类电子产品中的滤波、去耦和旁路电路。由于其高电压耐受能力和稳定的温度特性，该电容器也适用于需要高可靠性的航空航天和汽车电子系统。
　　在通信设备中，它可用于射频（RF）滤波器、功率放大器和天线调谐电路，确保信号的稳定性与完整性。此外，该电容器还广泛用于DC-DC转换器和AC-DC电源模块中，用于平滑输入输出电压，提高电源效率。
　　对于工业控制设备，该电容器可以作为去耦电容，用于消除高频噪声和电源波动，确保控制系统的稳定运行。在医疗设备中，其高可靠性和低漏电流特性也使其成为关键电路的理想选择。

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　　 "C2225C221KGACTU",
　　 "CL25X221KBHNNNE",
　　 "C3225X7R1H221K160AB"
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