晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：15V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30V
　　最大功耗（PD）：200mW
　　截止频率（fT）：250MHz
　　噪声系数（NF）：0.8dB（典型值）
　　封装类型：SOT-343

USMA108H 是一款专为高频应用设计的NPN晶体管，其高频性能优异，截止频率高达250MHz，使其非常适合用于射频放大和低噪声前置放大电路。该晶体管的噪声系数非常低，典型值为0.8dB，这在通信系统中至关重要，尤其是在接收端的信号放大环节。此外，该晶体管具有良好的线性度和稳定性，适用于小信号放大和高增益应用。SOT-343封装体积小巧，适合在高密度PCB设计中使用，并且具有良好的热稳定性和机械强度。晶体管的工作温度范围通常为-55°C至+150°C，适用于各种工业环境。
　　USMA108H 还具有较低的输入和输出电容，有助于减少高频信号的失真和损耗。其基极-发射极电压（VBE）在正常工作电流下约为0.7V，便于偏置电路的设计。此外，该晶体管的增益带宽积较高，使其在宽频带放大器中表现良好。由于其优异的性能指标和小尺寸封装，USMA108H 广泛应用于无线通信、射频识别（RFID）、蓝牙模块、Wi-Fi设备以及各类便携式电子产品中的射频前端电路。

USMA108H 主要用于射频（RF）和高频电子电路中，例如低噪声放大器（LNA）、射频前置放大器、混频器、振荡器和功率放大器驱动级。该晶体管特别适合用于通信系统中的信号放大，如无线基站、移动电话、蓝牙模块、Wi-Fi路由器、射频收发器等。此外，它也可用于射频识别（RFID）设备、测试测量仪器以及工业控制系统中的高频信号处理模块。由于其封装小巧，USMA108H 也适用于空间受限的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。

BC847, 2N3904, BFQ59, BFQ19