类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值约为6.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-247

TNE100PMPGE具备多项先进特性，首先其低导通电阻显著降低了功率损耗，提高了系统效率，使其适用于高电流应用场景。其次，该器件采用了东芝优化的沟槽式MOSFET设计技术，提供了出色的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下稳定工作。
　　此外，TNE100PMPGE具有较高的开关速度，能够支持高频操作，从而减小外围电路的体积，提高整体系统性能。该器件的封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
　　在可靠性方面，TNE100PMPGE通过了严格的工业标准测试，具备良好的抗雪崩能力和抗短路能力，确保在极端工况下仍能保持稳定运行。其栅极设计支持宽范围的驱动电压，便于与多种控制电路兼容，简化了驱动电路的设计难度。
　　综合来看，TNE100PMPGE是一款高性能功率MOSFET，适用于对效率、稳定性和散热性能有较高要求的应用场景。

TNE100PMPGE广泛应用于多种高功率电子系统中，例如工业电源、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及新能源设备（如太阳能逆变器）等。其优异的导通性能和开关特性使其成为高性能电源设计的理想选择。
　　在汽车电子领域，TNE100PMPGE可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及电驱系统中的功率控制模块。此外，在自动化控制系统中，该器件可作为高效率功率开关，用于控制执行机构、继电器和电磁阀等负载。
　　由于其高可靠性和宽工作温度范围，TNE100PMPGE也适用于恶劣环境下的工业设备，如焊接机、工业加热系统和高功率LED照明驱动器。其优异的热管理性能确保在长时间高负载运行下仍能保持稳定工作状态。

TKA100E12CP4