时间：2025/4/27 11:45:30
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IPB015N08N5ATMA1 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET 芯片。该芯片采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高效能功率转换应用。其额定电压为 80V，持续漏极电流为 15A，封装形式为 TO-263-3。这款器件在工业、汽车及消费类电子领域中被广泛使用。
最大漏源电压：80V
最大连续漏极电流：15A
最大栅极阈值电压：4V
典型导通电阻：5.5mΩ
总功耗：17W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263-3
IPB015N08N5ATMA1 的主要特点是低导通电阻，仅为 5.5mΩ，这有助于减少功率损耗并提高效率。此外，它还具有快速开关能力，支持高频操作，适合用于 DC-DC 转换器和电机驱动等应用。
该芯片的耐热性能优异，能够在高达 175℃ 的结温下可靠运行，同时其坚固的设计使其能够承受瞬态过载条件。其采用的沟槽式 MOSFET 技术优化了电荷载流子流动路径，从而降低了导通和开关损耗。
IPB015N08N5ATMA1 主要应用于需要高效率和高功率密度的场景，包括但不限于以下领域：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电机驱动
- 工业自动化设备
- 电动工具
- 汽车电子系统中的负载切换
由于其出色的电气特性和热性能，该器件非常适合要求严格的功率管理场合。
IPD016N08N5ATMA1
IPB015N08N3G
IRFZ44N
