型号：RU30E60M2
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：30A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（max，@Vgs=10V）
　　栅极电荷（Qg）：130nC（typ）
　　输入电容（Ciss）：4200pF（@Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-247

RU30E60M2采用瑞萨专有的超级结（Super Junction）沟道结构与优化的栅极工艺设计，在保持高击穿电压的同时显著降低了导通损耗和开关损耗。其最大导通电阻仅为75mΩ，在同类600V N沟道MOSFET中处于领先水平，这使得在大电流工况下产生的I2R损耗大幅减少，提高了电源系统的整体能效。同时，该器件具备出色的动态性能，输入电容Ciss典型值为4200pF，配合较低的栅极电荷Qg（典型130nC），使其能够在高频开关应用中实现快速响应和低驱动功率需求，特别适合用于现代高效SMPS（开关模式电源）设计。
　　该MOSFET的热稳定性优异，得益于TO-247封装的大面积金属背板，热阻Rth(j-c)低至0.8℃/W，确保在持续高负载运行时热量能够迅速传导至散热器，避免局部过热导致失效。此外，其体二极管具有较短的反向恢复时间（trr约45ns），减少了反向恢复过程中的能量损耗和电压尖峰，提升了系统在硬开关拓扑中的可靠性。器件还具备良好的雪崩能量承受能力，并通过严格的生产测试保证批次一致性，适用于要求严苛的工业级和商用级应用场景。
　　在抗干扰方面，RU30E60M2支持±30V的栅源电压耐受能力，增强了对驱动电路异常或噪声干扰的容忍度，降低了因栅极过压造成永久损坏的风险。其宽泛的工作结温范围（-55℃至+150℃）也使其可在极端环境温度条件下稳定工作，适用于户外设备或密闭高热空间内的电子系统。总体而言，RU30E60M2是一款兼具高性能、高可靠性和良好兼容性的功率MOSFET，是中高端电源设计中的理想选择之一。

RU30E60M2主要应用于各类需要高效、高电压开关能力的电力电子系统中。其典型用途包括工业级开关电源（Industrial SMPS），尤其是在AC-DC整流后的主开关管位置，用于构建半桥、全桥或LLC谐振变换器拓扑，以实现高效的直流输出。在通信基础设施领域，该器件常用于基站电源模块和数据中心服务器电源单元中，满足高密度、高效率供电需求。此外，它也被广泛应用于光伏逆变器系统中的DC-DC升压级或H桥驱动部分，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升太阳能发电系统的转换效率。
　　在电机驱动应用中，RU30E60M2可用于中等功率的三相逆变器或单相变频驱动电路，控制交流感应电机或永磁同步电机的转速与扭矩，常见于工业风扇、泵类设备及小型电动工具控制系统中。同时，由于其具备较强的浪涌电流承载能力和良好的热管理特性，该器件也适用于不间断电源（UPS）系统和应急照明电源等备用电源设备中，保障关键负载的持续运行。
　　在消费类高端电源产品中，如大功率LED驱动电源、高端音响功放电源以及激光打印机高压电源模块中，RU30E60M2凭借其稳定的性能和长寿命表现，成为许多设计师的首选器件。此外，在电动汽车充电桩的辅助电源或车载充电机（OBC）的次级侧功率处理电路中也有潜在应用价值。综合来看，RU30E60M2适用于所有要求高效率、高可靠性和紧凑设计的中高功率电力转换场景。

STW30NB60NS
　　IXFH30N60P
　　FCH30N60NF