型号：TND304S-TL-E
　　通道类型：N沟道
　　最大漏源电压(VDS)：30 V
　　最大栅源电压(VGS)：±20 V
　　连续漏极电流(ID)：4.1 A
　　脉冲漏极电流(IDM)：16.4 A
　　导通电阻(RDS(on))：28 mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：33 mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(VGS(th))：1.0 V ~ 2.0 V
　　输入电容(Ciss)：590 pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(trr)：18 ns
　　功耗(PD)：1.5 W
　　工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DFN2020

TND304S-TL-E采用安森美先进的TrenchFET技术，这种垂直沟道结构显著降低了器件的导通电阻，从而提高了能效并减少了热量产生。其低RDS(on)特性使其在低电压、中等电流的应用中表现出色，例如在3.3V或5V供电系统中作为开关元件时，能够有效降低功率损耗，提升整体系统效率。该器件的栅极阈值电压较低，典型值约为1.6V，在使用逻辑电平信号（如3.3V微控制器输出）直接驱动时无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度并节省成本。
　　该MOSFET具有出色的开关速度，得益于较小的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使得其在高频开关应用如同步降压变换器中能够快速响应，减少开关过渡时间，进而降低动态损耗。此外，短小的反向恢复时间（trr）也意味着体二极管在反向恢复过程中能量损失较少，有助于提高转换效率并减少电磁干扰（EMI）。
　　TND304S-TL-E的DFN2020封装不仅体积小巧（约2mm x 2mm），还具备良好的散热性能，底部有裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至地层或散热层，增强热稳定性。这种封装形式非常适合自动化贴片生产和回流焊工艺，确保批量制造的一致性和可靠性。同时，该器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，表明其在极端温度、湿度和机械应力条件下仍能稳定运行，适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等严苛环境。
　　该器件还具备优良的雪崩耐受能力和抗静电能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性。内部寄生二极管的存在使其可用于续流或反接保护电路。总体而言，TND304S-TL-E凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代电源管理设计中的理想选择之一。

TND304S-TL-E广泛应用于多种需要高效、紧凑型功率开关的场景。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的电源通断，以实现节能和延长电池寿命。在DC-DC转换器中，特别是同步整流拓扑结构中，它常作为下管或上管使用，替代传统肖特基二极管，大幅降低导通损耗，提高转换效率。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，确保锂电池的安全运行。
　　在电机驱动领域，TND304S-TL-E可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，提供双向转速控制。由于其快速的开关响应能力，适合PWM调速应用。在电源分配单元中，可作为热插拔控制器或过流保护开关，防止浪涌电流损坏后续电路。USB供电接口（如USB PD或QC快充模块）中也可采用此类MOSFET进行电源路径管理。
　　工业控制系统中，该器件可用于PLC输出模块、传感器供电开关或继电器驱动电路。在通信设备中，如路由器、交换机的电源模块中，用于多路电压调节和隔离控制。此外，LED驱动电路中也可利用其作为恒流源的开关元件。得益于其符合汽车电子标准，TND304S-TL-E还可用于车载摄像头、导航系统、电动门窗控制器等应用。总之，凡涉及低压、中电流、高效率开关控制的场合，都是其理想的适用领域。

NTZD3101PT2G
　　DMG2305UW-7
　　SI2305DDS-T1-E
　　FDMC7670
　　AO3400