时间：2025/5/10 17:53:51
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BSC047N08NS3G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 TRENCHSTOP? 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种高效的电源管理应用。其封装形式为 SuperSO8，能够提供卓越的热性能和电气性能。
这款 MOSFET 的最大漏源电压为 80V，连续漏极电流可达 4.7A（在特定条件下），并且具备出色的 ESD 防护能力。由于其优化的 RDS(on) 和栅极电荷特性，BSC047N08NS3G 能够在高频开关应用中实现高效的能量转换。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：4.7A（Tc=25°C）
导通电阻 RDS(on)：6.5mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极电荷 Qg：9nC（典型值）
总开关能量 Esw：78nJ（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：SuperSO8
BSC047N08NS3G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高效的开关性能，得益于较低的栅极电荷和输出电荷。
3. 宽工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
4. 符合 RoHS 标准，并且具有良好的抗潮湿能力。
5. 内置 EMI 滤波功能，减少对外部干扰的影响。
6. 可靠的短路耐受时间，适用于高可靠性要求的应用场景。
7. 采用 SuperSO8 封装，提供紧凑设计和优秀的散热性能。
BSC047N08NS3G 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动电路，用于家用电器、工业设备和消费电子中的小型电机控制。
3. 电池管理系统（BMS），特别是在电动工具和电动汽车等需要高效能量管理的场合。
4. LED 驱动器，支持高亮度 LED 照明系统的恒流控制。
5. 逆变器和 UPS 系统，提供可靠的电力备份解决方案。
6. 各类负载切换和保护电路，例如负载断开或过流保护。
7. 快速充电适配器，支持高效率的能量传递。
BSC048N08NS3G, IRFZ44N, FDP067N08L
