您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > M58LR128KB85ZB6F TR

M58LR128KB85ZB6F TR 发布时间 时间:2025/12/27 4:08:17 查看 阅读:13

M58LR128KB85ZB6F TR是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能、低功耗的串行NOR闪存芯片,广泛应用于需要高可靠性和快速读取能力的嵌入式系统中。该器件采用先进的浮栅存储技术,具备出色的耐久性和数据保持能力,适用于工业控制、汽车电子、通信设备以及消费类电子产品。M58LR128KB85ZB6F TR属于MultiMatrix-Flash系列,支持多种封装形式和工作温度范围,特别适合在严苛环境下稳定运行。其命名中的'TR'表示该器件为卷带包装,便于自动化贴片生产。该芯片通过SPI(串行外设接口)或QSPI(四线SPI)进行通信,具有较高的指令兼容性,能够与多种微控制器无缝对接。
  M58LR128KB85ZB6F TR的存储容量为128 Mbit(即16 MB),组织方式为8x16位结构,支持标准、双I/O和四I/O操作模式,可在单线、双线或四线模式下进行数据传输,显著提升数据吞吐率。该器件支持高达85 MHz的时钟频率,在四IO快速读取模式下可实现接近340 Mbps的等效吞吐量,满足实时系统对高速代码执行的需求。此外,该芯片内置纠错机制和写保护功能,增强了数据安全性。其宽电压工作范围(通常为2.7V至3.6V)使其适用于多种电源环境,并支持低功耗待机模式,有助于延长电池供电设备的续航时间。

参数

型号:M58LR128KB85ZB6F TR
  制造商:STMicroelectronics
  存储类型:NOR Flash
  存储容量:128 Mbit
  组织结构:8x16位
  接口类型:SPI, QSPI
  最大时钟频率:85 MHz
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  封装形式:TSOP-B24
  编程电压:内部电荷泵生成
  写入周期耐久性:100,000次
  数据保持时间:超过20年
  访问时间:85ns
  封装宽度:8mm
  包装类型:卷带(Tape and Reel)

特性

M58LR128KB85ZB6F TR具备多项先进特性,确保其在复杂应用环境下的稳定性和高效性。首先,该芯片支持多种I/O操作模式,包括标准SPI、双I/O(Dual I/O)和四I/O(Quad I/O),允许用户根据系统需求灵活配置数据传输速率和引脚资源。在四IO快速读取模式下,即使主控时钟有限,也能实现等效于并行闪存的高性能表现,特别适合XIP(eXecute In Place)应用场景,使处理器可以直接从闪存中执行代码而无需加载到RAM,节省系统资源并加快启动速度。
  其次,该器件集成了全面的安全与保护机制。它支持软件和硬件写保护功能,防止因意外写入或擦除导致的数据丢失。通过状态寄存器可监控设备忙状态、写使能状态及块锁定配置。此外,芯片内置上电复位(Power-on Reset)电路和电压监测单元,确保在电源不稳定时自动进入安全状态,避免非法操作。
  再者,M58LR128KB85ZB6F TR采用MultiMatrix-Flash技术,结合了ETOX(EPROM Tunnel Oxide)工艺的优势,在保证高可靠性的同时实现了较低的功耗。其待机电流极低,典型值低于15 μA,适合用于便携式或远程部署的设备。同时,该器件支持全芯片和按扇区/块的擦除操作,提供灵活的数据管理能力。每个扇区可独立编程和擦除,支持最小4 KB的擦除粒度,便于实现固件更新和日志记录功能。
  最后,该芯片通过AEC-Q100汽车级认证,具备出色的抗干扰能力和温度稳定性,能够在-40°C至+125°C的极端温度范围内可靠运行,适用于车载信息娱乐系统、ADAS模块和其他对安全性要求极高的场景。其TSOP-B24封装符合行业标准,便于PCB布局和回流焊工艺,提升了制造良率和系统集成效率。

应用

M58LR128KB85ZB6F TR广泛应用于多个高要求领域。在汽车电子方面,它被用于存储ECU固件、仪表盘图形数据、车载导航地图以及高级驾驶辅助系统(ADAS)的配置信息,得益于其宽温特性和高可靠性,能够在发动机舱或高温环境中长期稳定运行。在工业控制领域,该芯片常见于PLC控制器、HMI人机界面、工业网关和远程IO模块中,用于存储操作系统镜像、参数配置和校准数据,支持工厂自动化系统的快速启动和现场升级。
  通信设备如路由器、交换机和基站控制器也大量采用此类闪存来存放引导程序(Bootloader)、操作系统和配置文件。其高速读取能力保障了设备的快速开机和协议栈加载效率。在消费类电子产品中,M58LR128KB85ZB6F TR可用于智能家电、可穿戴设备和家庭网关,实现低功耗下的代码存储与执行。此外,在医疗设备、航空电子和测试测量仪器中,该器件因其数据保持能力强、抗辐射性能好而受到青睐,适用于需要长期无人值守运行的关键系统。
  由于其支持XIP模式,该芯片特别适合搭配ARM Cortex-M系列、STM32、NXP Kinetis等主流MCU使用,构成紧凑高效的嵌入式解决方案。配合外部存储器接口(FSMC/QSPI),可实现零等待执行,极大提升系统响应速度。同时,开发工具链成熟,主流IDE如STM32CubeIDE、IAR Embedded Workbench均提供对该器件的支持,简化了驱动开发与调试流程。

替代型号

S25FL128SAGBHI20
  N25Q128AAB1E12F
  IS25LP128D-JBLE

M58LR128KB85ZB6F TR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

M58LR128KB85ZB6F TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织8M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率66 MHz
  • 写周期时间 - 字,页85ns
  • 访问时间85 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 2V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳56-VFBGA
  • 供应商器件封装56-VFBGA(7.7x9)