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TN0200K-T1 发布时间 时间:2025/6/4 17:32:07 查看 阅读:5

TN0200K-T1是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,属于增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)。它具有极低的导通电阻和快速的开关特性,适用于高频、高效的应用场景。
  该器件采用了先进的封装工艺,具备出色的热性能和电气稳定性。其耐压能力高达650V,适合于各种开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。

参数

额定电压:650V
  额定电流:20A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:75nC
  输入电容:1800pF
  反向恢复时间:无
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

TN0200K-T1具有以下显著特点:
  1. 高效的开关性能,能够有效降低开关损耗,提高整体效率。
  2. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗。
  3. 支持高频操作,可满足多种复杂的电力电子设计需求。
  4. 强大的散热性能,确保在高温环境下仍能稳定运行。
  5. 小巧的封装尺寸,便于在空间受限的应用中使用。
  6. 高可靠性和长寿命,能够适应恶劣的工作环境。

应用

TN0200K-T1广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 太阳能逆变器
  4. 电动汽车充电设备
  5. 工业电机驱动
  6. 消费类电子产品中的电源管理模块

替代型号

TNG020P065B,
  GXT200N65S,
  EPC2015

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