FZT603TA 时间：2025/8/2 8:36:20 阅读：21

FZT603TA是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由台湾富鼎先进电子（Alpha & Omega Semiconductor）生产。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及马达控制等场合。FZT603TA采用了先进的沟槽式工艺，提供了较低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，有助于提高系统效率并降低功耗。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：110A（在Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：440A
　　导通电阻（RDS(on)）：3.3mΩ（最大值，典型值）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：TO-220AB

特性

FZT603TA的主要特性包括极低的导通电阻（RDS(on)），这使得器件在高电流应用中能够有效降低导通损耗，提高整体效率。
　　该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了开关性能，使其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗。
　　其高电流承载能力（高达110A）使其适用于高功率密度的设计，例如服务器电源、电信设备电源和DC-DC转换器。
　　此外，FZT603TA具有良好的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定工作，适用于苛刻的工作条件。
　　由于其封装形式为TO-220AB，具有良好的散热能力，适合用于需要高散热效率的电路设计中。
　　同时，该MOSFET具有较高的抗雪崩能力，能够在电压瞬变或过压情况下提供一定的保护作用，提高系统的稳定性与安全性。

应用

FZT603TA适用于多种功率电子应用，包括但不限于：
　　1. 同步整流DC-DC转换器和稳压器
　　2. 高效电源模块和负载开关
　　3. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制
　　4. 服务器和通信设备的电源供应
　　5. 电机驱动和马达控制电路
　　6. 高速开关应用，如PWM控制和功率放大器
　　7. 逆变器和UPS（不间断电源）系统
　　由于其优异的导通特性和高频响应能力，该MOSFET也广泛用于节能型开关电源和高密度电源设计中。