时间：2025/6/21 9:56:45
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HH18N821F500CT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用TO-247封装形式。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。其特点在于低导通电阻和高击穿电压，能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。
HH18N821F500CT属于N沟道增强型MOSFET，具备出色的热性能和电气特性，适合在高温环境下工作。此外，它还具有快速开关速度，有助于减少开关损耗。
最大漏源电压：820V
连续漏极电流：5A
导通电阻（典型值）：0.6Ω
栅极电荷：38nC
输入电容：1320pF
开关时间（开通/关断）：85ns/95ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247
HH18N821F500CT具有以下显著特性：
1. 高击穿电压（820V），能够在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻（0.6Ω典型值），降低了导通损耗。
3. 快速开关能力，适合高频应用场合。
4. 具备优秀的热稳定性，可在高达150℃的工作温度下保持性能。
5. 符合RoHS标准，环保且适用于现代电子设备设计要求。
6. 封装形式坚固耐用，便于散热和安装。
HH18N821F500CT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和直流-直流转换器。
2. 电机驱动与控制，包括家用电器中的小型电机。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 汽车电子系统中的负载切换与保护电路。
6. 不间断电源（UPS）和电池管理系统。
IRF820,
FDP17N80,
STP5NK82,
IXFN820N50T2
