时间：2025/8/18 15:21:28
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TH20-2STG122PM(T) 是由东芝（Toshiba）生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于如DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池供电设备等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A
最大漏源电压（VDS）：200V
导通电阻（RDS(on)）：最大值1.8mΩ @ VGS=10V
栅极电压（VGS）：±20V
最大功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-247AD
TH20-2STG122PM(T) 采用东芝专有的U-MOS VIII-H沟槽技术，显著降低了导通电阻并提高了开关性能。其低RDS(on)特性减少了导通损耗，提高了系统效率。该MOSFET具有高雪崩耐量，增强了在高能瞬态条件下的可靠性。此外，它还具备优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适合工业级和汽车电子应用。封装设计优化了散热性能，有助于提高整体系统的热管理能力。
该器件的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，便于与各种控制器和驱动器配合使用。同时，其快速开关特性有助于降低开关损耗，适用于高频开关电源和电机控制应用。TH20-2STG122PM(T) 还具备出色的短路耐受能力，进一步提升了系统的稳定性和安全性。
TH20-2STG122PM(T) 主要应用于高功率密度的电源系统，如服务器电源、电信电源、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电动汽车充电模块以及工业自动化设备中的功率控制单元。此外，它还可用于太阳能逆变器、UPS不间断电源以及其他需要高效能功率MOSFET的场合。
TK200E12K1、SiHP120N100DS、FDMS86180、IRFP260N、TK220E08K1
