IFR25P0T0SE22 时间：2025/6/19 14:58:20 阅读：2

IFR25P0T0SE22是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等领域。其高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度使得它在需要高效能和高可靠性的应用中表现优异。
　　这款MOSFET的典型特点是能够在较高的电压下保持较低的导通损耗，并且具备良好的热性能以适应严苛的工作环境。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：25A
　　栅极电荷：49nC
　　导通电阻：16mΩ
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装类型：TO-263

特性

IFR25P0T0SE22具有以下主要特性：
　　1. 高击穿电压（100V），能够承受较高的电压波动，适用于高压环境。
　　2. 极低的导通电阻（16mΩ max@VGS=10V），减少导通时的功耗，提高效率。
　　3. 快速开关能力，适合高频应用场合，同时降低开关损耗。
　　4. 优秀的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定运行。
　　5. 支持大电流操作（最高25A连续漏极电流），适用于大功率设备。
　　6. 小巧紧凑的TO-263封装，便于安装和散热设计。

应用

该MOSFET适合用于多种工业和消费类电子领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
　　3. 电机驱动电路中的功率级控制。
　　4. 负载切换和保护电路。
　　5. 电池管理系统（BMS）中的充放电管理。
　　6. 其他需要高效能功率开关的应用场景。