工作电压: 5.0 V
　　钳位电压: 13.3 V @ 1.0 A
　　峰值脉冲电流: 1.0 A
　　响应时间: <1 ns
　　电容值: 0.35 pF（典型值）
　　封装类型: SMD 1209
　　通道数: 2

TMV2-1209SHI 是一款高性能的瞬态电压抑制二极管阵列，具备多项显著特性。其低钳位电压确保在瞬态事件发生时，下游电路受到的电压应力最小，从而提高系统的可靠性和稳定性。该器件的响应时间极短（小于1纳秒），能够迅速响应并抑制瞬态电压，有效保护电路免受静电放电（ESD）、浪涌电流和其他瞬态干扰的影响。
　　此外，TMV2-1209SHI 的电容值非常低，典型值为0.35皮法拉，这对于高速信号线路的保护尤为重要，因为它不会对信号完整性造成显著影响。这使得该器件非常适合用于USB、HDMI、以太网等高速数据传输接口的保护应用。
　　该器件采用1209表面贴装封装，节省空间且易于自动化生产，适用于高密度PCB设计。此外，TMV2-1209SHI 的双通道结构使其能够在同一封装中保护两个独立的信号线路，提高了保护效率并降低了设计复杂度。整体而言，该器件在性能、封装和保护能力方面达到了良好的平衡，是现代电子设备中不可或缺的保护元件。

TMV2-1209SHI 主要用于需要对高速信号线路进行瞬态电压保护的场合。典型应用包括USB接口、HDMI接口、以太网端口、RS-485通信线路、VGA接口、相机模块以及便携式消费电子产品（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的信号线路保护。由于其低电容和快速响应特性，该器件也广泛应用于工业自动化设备、医疗仪器和汽车电子系统中，以确保数据通信的稳定性和设备的长期可靠性。

SMF05C, ESD5Z5.0U, PESD5V0S1BA