FMW47N60S1HF是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于高电压和高电流应用。这款器件采用了先进的平面技术,具有出色的热性能和电性能,适用于电源管理、电机控制和功率转换等应用。FMW47N60S1HF具有较低的导通电阻,能够有效减少功率损耗并提高系统的效率。其高耐压能力使其在600V的电压下仍能稳定工作,适用于多种高电压环境。
类型:功率MOSFET
最大漏源电压(VDS):600V
最大漏极电流(ID):47A
导通电阻(RDS(on)):约0.16Ω
封装类型:TO-247
工作温度范围:-55°C至150°C
栅极电荷(Qg):约80nC
最大功率耗散:约200W
FMW47N60S1HF具有多个显著的特性,使其在功率MOSFET领域中脱颖而出。首先,它的低导通电阻确保了在高电流条件下的高效能表现,从而减少了功率损耗和发热。这使得该器件能够在高负载条件下保持稳定的工作状态。
其次,FMW47N60S1HF采用了先进的封装技术,提供良好的热管理性能,确保在高温环境下也能有效散热。这种封装形式(TO-247)不仅提供了较高的机械强度,还具有良好的电气隔离性能,适用于多种工业应用。
此外,该MOSFET具有较高的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。这种特性使其在需要高可靠性的应用场景中表现出色,如电源转换器和电机驱动器。
最后,FMW47N60S1HF的设计考虑到了快速开关的需求,具有较低的开关损耗,能够在高频条件下保持高效率。这对于提高系统的整体性能和能效具有重要意义。
FMW47N60S1HF广泛应用于多种高电压和高电流的场景。其中,电源管理是其主要应用之一,包括开关电源(SMPS)、直流-直流转换器和不间断电源(UPS)。其高耐压能力和低导通电阻使其在这些应用中表现出色,能够有效提高电源的效率和稳定性。
在电机控制领域,FMW47N60S1HF可用于电机驱动器和变频器,提供高效的电流控制和稳定的功率输出。其高短路耐受能力确保了在电机启动和运行过程中不会因电流冲击而损坏。
此外,该器件还适用于工业自动化设备、逆变器以及高电压电池管理系统。其高可靠性和优异的热管理性能使其成为工业和电力电子领域的理想选择。
IXFH47N60P、STP47N60DM2、IRFP47N60LC