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IS62WV51216BLL-55BI 发布时间 时间:2025/9/1 10:00:24 查看 阅读:7

IS62WV51216BLL-55BI 是一颗由Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)制造的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为512K x 16位。该SRAM芯片采用了高性能的CMOS工艺,提供高速访问时间和低功耗的特性,广泛应用于需要高速存储和稳定性的嵌入式系统和工业控制设备中。

参数

容量:512K x 16位
  电压:3.3V或5V可选
  访问时间:55ns
  封装类型:TSOP
  工作温度:-40°C至+85°C
  封装尺寸:54引脚
  输入/输出电平:TTL兼容
  工作模式:异步SRAM
  最大工作频率:约18MHz
  待机电流:低功耗模式支持

特性

IS62WV51216BLL-55BI 的主要特性包括高速存取、低功耗设计以及宽温工作范围。其访问时间仅为55纳秒,使得该芯片适用于需要快速数据访问的场合。芯片支持3.3V或5V电源供电,提高了其在不同系统中的兼容性。此外,该SRAM芯片具备TTL兼容的输入/输出电平,便于与多种控制器和外围设备连接。
  该芯片的异步接口设计无需时钟信号,使得控制逻辑相对简单,适合在需要灵活地址控制的系统中使用。同时,它还支持低功耗待机模式,在系统空闲时有效降低功耗,适用于对功耗有一定要求的应用场景。
  此外,IS62WV51216BLL-55BI 采用TSOP封装,体积小巧,便于在空间受限的PCB设计中使用。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保了在恶劣环境条件下也能稳定工作,适合工业控制、网络设备、通信模块等应用。

应用

IS62WV51216BLL-55BI 主要用于需要高速存储器的嵌入式系统,如工业控制器、通信设备、网络路由器、测试仪器、视频采集模块和数据缓存系统。由于其异步接口的特性,它也常被用于需要直接连接到微控制器或数字信号处理器(DSP)的系统中,作为高速数据存储或缓冲存储器使用。

替代型号

IS62WV51216BLL-55BHI, IS62WV51216BLL-55C, CY62148EVLL-55B, IDT71V416SA55B

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IS62WV51216BLL-55BI产品

IS62WV51216BLL-55BI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量8 Mbit
  • 组织512 K x 16
  • 访问时间55 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min2.5 V
  • 最大工作电流5 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体mBGA-48
  • 接口TTL
  • 端口数量1
  • 工厂包装数量312
  • 类型Asynchronous