时间：2025/6/9 19:07:09
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UMK063CG121JT-F 是一款由知名半导体制造商生产的高性能 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该型号主要应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景，能够提供高效的功率转换和稳定的性能表现。其采用了先进的制造工艺，在保证低导通电阻的同时，也具备较低的栅极电荷，从而显著提升了效率并降低了功耗。
这款器件特别适用于需要高频率开关和快速动态响应的应用场合。它具有出色的热性能和耐用性，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。
类型：MOSFET
极性：N-Channel
额定漏源电压(Vdss)：650V
额定连续漏电流(Id)：120A
导通电阻(Rds(on))：1.4mΩ
栅极电荷(Qg)：98nC
总电容(Ciss)：3750pF
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55℃ to +175℃
UMK063CG121JT-F 的设计注重高效能与可靠性。它的低导通电阻有助于减少导通损耗，同时较低的栅极电荷使得开关损耗得以降低，因此非常适合高频应用。
此外，该器件还具有良好的雪崩能力，可以承受短时间内的过载情况。在动态性能方面，快速的开关速度减少了死区时间，进一步提高了整体效率。
由于采用了坚固的 TO-247-3 封装，这款 MOSFET 能够很好地散发热量，并且便于安装在各种 PCB 板上。对于追求高性能和高可靠性的设计者来说，这是一个理想的选择。
UMK063CG121JT-F 广泛用于工业和消费类电子产品中。主要应用领域包括但不限于以下：
- 开关模式电源(SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动与控制
- 太阳能逆变器
- 电动车辆牵引逆变器
- UPS 不间断电源系统
- 高压负载切换模块
这些应用都依赖于 UMK063CG121JT-F 提供的卓越性能和稳定性。
UMK063CG120JT-F, IRFP260N, STW12NM65, FQA128N65S3
