时间：2025/8/24 3:04:59
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61201022921 是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高电压和高电流的应用中。这款MOSFET具备卓越的导通性能和较低的导通电阻，适用于工业设备、电源转换系统和电动工具等高要求的场景。其封装设计支持高效散热，确保在高负载条件下稳定运行。
类型：MOSFET
最大漏极电流：20A
漏源击穿电压：600V
导通电阻：0.25Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
61201022921 MOSFET的主要特性之一是其高压能力，漏源击穿电压高达600V，使其适用于需要高电压操作的系统。该器件的导通电阻非常低，仅为0.25Ω，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET的最大漏极电流为20A，能够支持较高功率的应用。其TO-220封装不仅便于安装，还提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下长时间稳定工作。该器件的工作温度范围宽，可在-55°C至150°C之间正常运行，适用于各种严苛环境条件。此外，61201022921具备较高的可靠性和耐用性，可有效防止过热和过载损坏，为工业和电力电子应用提供稳定和安全的解决方案。
61201022921 MOSFET广泛应用于高压和高电流的场景，例如工业电源、电动工具、电源转换器、UPS系统以及电机控制电路。此外，它也可用于高功率LED照明系统、电池管理系统以及自动化控制设备中的开关电路。
61201022921 可以被型号如 IRF840、STP20N60 和 FQA20N60 替代，这些MOSFET器件具有相似的电气特性和封装形式，适用于相同的应用场景。
