类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：150V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：15A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤70mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220

TMT15215C功率MOSFET具备多项优良特性，使其在电源管理系统中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通损耗，提高整体系统的效率。在高频开关应用中，这种特性尤为重要，因为它能够减少能量在转换过程中的损失。
　　其次，该器件具有较高的耐压能力，漏源电压可达150V，适用于中高压电源应用。这种高耐压特性确保了器件在各种电压波动和瞬态条件下依然能够稳定工作，提高了系统的可靠性和安全性。
　　此外，TMT15215C采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能。这种封装设计有助于快速将热量从芯片传导出去，防止器件在高负载条件下过热，从而延长使用寿命并提升系统稳定性。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的栅源电压，这使其在不同类型的驱动电路中具有较高的兼容性。同时，其导通电阻随温度变化较小，确保在不同工作温度下都能保持稳定的性能。
　　最后，TMT15215C还具备较高的抗雪崩能力和过载保护能力，能够在极端条件下提供额外的安全保障。这使得它非常适合用于电机驱动、开关电源、电池管理系统等高要求的应用场景。

TMT15215C广泛应用于各种功率电子设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及各种工业自动化设备。在这些应用中，TMT15215C能够提供高效的功率控制和可靠的运行性能。此外，由于其良好的热管理和高耐压能力，该器件也常用于汽车电子系统和新能源设备中，如电动车充电器和太阳能逆变器。

SiHF15N150E、IRF150、FDP15N150