BS2S7VZ6A03 时间：2025/5/8 19:24:14 阅读：5

BS2S7VZ6A03 是一款双通道增强型 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度等特性，非常适合用于开关电源、电机驱动、电池保护电路和负载切换等应用领域。其封装形式通常为 SO-8 或类似的表面贴装类型，有助于提高散热性能和可靠性。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：21A
　　导通电阻（典型值）：5.5mΩ
　　栅极电荷：39nC
　　输入电容：1350pF
　　开关时间：t_on=15ns, t_off=25ns
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装：SO-8

特性

BS2S7VZ6A03 具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻，在满载条件下可有效降低功耗。
　　2. 高雪崩击穿能力，能够承受短暂的过流或过压情况。
　　3. 快速开关性能，减少开关损耗，提升效率。
　　4. 内置反向二极管设计，适合于续流保护电路。
　　5. 工作温度范围宽广，能够在极端环境下稳定运行。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且易于焊接。

应用

BS2S7VZ6A03 广泛应用于以下场景：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
　　2. 直流电机控制与驱动。
　　3. LED 照明系统的恒流驱动。
　　4. 电池管理系统中的充放电控制。
　　5. 各类工业设备中的负载切换和保护电路。
　　6. 汽车电子领域的功率转换模块。