RXT2907AT100 是一款高性能、低功耗的 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),属于 Rexchip 公司的 RXT29 系列产品。该型号专为高效率开关应用设计,具有较低的导通电阻和快速的开关速度,非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等场景。
这款 MOSFET 使用 TO-252 封装形式,能够提供出色的散热性能和紧凑的尺寸,便于在各种电路中集成。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:3.8A
导通电阻(典型值):100mΩ
总功耗:430mW
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
RXT2907AT100 提供了多种优异的性能特点,使其成为许多电子设备中的理想选择。首先,它的低导通电阻可以显著降低功率损耗,提高整体效率。其次,其快速开关特性有助于减少开关损耗,从而提升高频应用的表现。此外,该器件还具备良好的热稳定性和抗浪涌能力,能够在严苛环境下可靠运行。
在封装方面,TO-252 的小型化设计不仅节省了 PCB 空间,还通过外露的金属片增强了散热性能。同时,RXT2907AT100 经过严格的测试与筛选,确保了产品的高一致性和可靠性,适合大规模生产使用。
RXT2907AT100 广泛应用于多个领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和初级开关。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 负载开关和电池保护电路。
4. 小型电机驱动和继电器控制。
5. 各类便携式设备中的电源管理模块。
由于其低功耗特性和紧凑封装,该 MOSFET 特别适用于对空间和效率要求较高的消费电子产品、工业设备及通信设施中。
RXT2907AT120, RXT2907AT80