时间：2025/8/14 21:55:44
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PJD14P06-AU 是一款由 PowerJect Semiconductor 生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，提供了低导通电阻和优异的热性能，适用于多种电源管理和负载开关应用。PJD14P06-AU 采用 8 引脚 DFN 封装，尺寸紧凑，适合高密度 PCB 设计。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：-60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：-14A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ @ Vgs = -10V，8.5mΩ @ Vgs = -4.5V
功率耗散(Pd)：3.8W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：DFN-8
PJD14P06-AU 具有极低的导通电阻，能够在高电流条件下保持较低的功耗，从而提高系统的整体效率。其先进的沟槽技术不仅优化了导通性能，还增强了器件的热稳定性，使得在高负载条件下也能保持良好的工作状态。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从 -4.5V 到 -10V 的工作电压，提供了灵活的设计选择。
为了确保可靠性和耐用性，PJD14P06-AU 在设计上考虑了多种保护机制，包括过热保护和雪崩能量耐受能力。该器件的 DFN 封装具备优良的散热性能，有助于在有限空间内实现高效的热管理。此外，其封装结构无铅环保，符合 RoHS 标准，适用于对环境友好型产品的要求。
PJD14P06-AU 广泛应用于各种电源管理系统，包括但不限于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制电路。其低导通电阻和高电流能力使其成为高性能电源设计的理想选择，特别是在需要高效能和高可靠性的场合，如通信设备、服务器电源模块以及便携式电子设备中的电源管理部分。
Si4460BDY, IRF9540N, FDS6680
