类型: N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds): 100V
　　栅源电压(Vgs): ±20V
　　连续漏极电流(Id): 8A
　　功耗(Pd): 2.5W
　　导通电阻(Rds(on)): 0.015Ω
　　工作温度范围: -55°C 至 +150°C
　　封装类型: TO-252
　　安装类型: 表面贴装
　　引脚数: 3
　　阈值电压(Vgs(th)): 2V 至 4V
　　输入电容(Ciss): 950pF
　　反向恢复时间(trr): 25ns
　　最大工作频率: 1MHz

TMSB2-108是一款性能优异的功率MOSFET，具有多项显著的技术特点。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）仅为0.015Ω，这大大降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。其次，器件的连续漏极电流为8A，能够在较高的电流条件下稳定运行，适用于高功率需求的应用场景。
　　TMSB2-108的漏源电压为100V，栅源电压范围为±20V，使其能够在较宽的电压范围内工作，增强了其适应性。此外，该器件的阈值电压（Vgs(th)）在2V至4V之间，保证了良好的栅极控制能力，同时降低了误触发的风险。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽技术，不仅提高了导通性能，还优化了开关特性。其输入电容（Ciss）为950pF，反向恢复时间（trr）为25ns，能够在高频条件下表现出色，适合高频开关应用。TMSB2-108的最大工作频率可达1MHz，满足了现代电源管理系统对高频化的需求。
　　从封装角度来看，TMSB2-108采用TO-252表面贴装封装，这种封装形式具有良好的散热性能，同时简化了PCB布局，降低了生产成本。器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在极端温度条件下稳定运行，确保了在各种环境下的可靠性。

TMSB2-108广泛应用于多种功率电子设备中，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。它常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电源管理系统中。由于其低导通电阻和高电流承载能力，TMSB2-108非常适合用于提高电源转换效率的场景。
　　在汽车电子领域，TMSB2-108可用于车载充电器、电池管理系统和电动车辆的功率控制模块。其优异的热性能和宽工作温度范围，使其在高温环境下依然能够稳定运行。
　　工业自动化设备也是TMSB2-108的重要应用领域，包括电机驱动器、工业电源和自动化控制系统。该器件的高频工作能力使其在这些应用中表现出色，提升了设备的响应速度和运行效率。
　　此外，TMSB2-108还可用于消费类电子产品，如笔记本电脑电源适配器、LED照明驱动器和智能家电的电源管理模块。其紧凑的封装形式和出色的性能使其成为这些设备的理想选择。

Si4410BDY-T1-GE3
　　IPB08N10N G
　　FDS4410B