型号：UT3N10G-AB3-R
　　类型：碳化硅场效应晶体管（SiC FET）
　　漏源电压（VDS）：650V
　　连续漏极电流（ID）：34A（TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：136A
　　导通电阻（RDS(on)）：100mΩ（最大值，@ VGS=18V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3.5V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：2970pF @ VDS=50V
　　输出电容（Coss）：510pF @ VDS=50V
　　反向恢复电荷（Qrr）：47nC
　　最大结温（Tj）：175°C
　　封装形式：DFN8x8（双侧冷却）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

UT3N10G-AB3-R的核心优势在于其基于碳化硅材料的半导体工艺，这使得它相较于传统的硅基MOSFET在多个关键性能指标上实现了显著提升。首先，该器件具有极低的导通电阻（RDS(on)），仅为100mΩ，在650V电压等级下能够大幅降低导通损耗，提高整体能效。其次，得益于SiC材料的高临界电场强度，UT3N10G-AB3-R可以在更高的电压下稳定工作，同时保持较小的芯片尺寸，从而实现更高的功率密度。其快速开关特性体现在极低的开关损耗上，尤其是在高频操作条件下，能够有效减少热量产生，简化散热设计，进而缩小整个电源系统的体积。
　　另一个重要特性是其优异的反向恢复行为。传统硅MOSFET在体二极管反向恢复过程中会产生较大的反向恢复电荷（Qrr）和电流尖峰，导致额外的开关损耗和电磁干扰。而UT3N10G-AB3-R由于采用了共封装级联结构（Cascode Structure），内部集成了一个高速JFET与标准硅MOSFET串联，使其表现出类似MOSFET的驱动特性和接近理想的单向导通特性，反向恢复电荷极低（仅47nC），极大地抑制了反向恢复带来的负面影响，提升了系统效率和EMI表现。
　　该器件还具备良好的热稳定性和长期可靠性。DFN8x8封装支持双面散热，有助于将芯片产生的热量迅速传导至PCB或外部散热器，维持较低的工作温度，延长使用寿命。此外，UT3N10G-AB3-R可在高达175°C的结温下持续运行，适应严苛的工业环境。其栅极氧化层经过优化设计，具备较高的耐用性，能够承受反复的开关应力而不退化。整体而言，这款SiC FET在效率、功率密度、热管理和系统可靠性之间实现了出色的平衡，适合用于对性能要求极高的现代电力电子设备。

UT3N10G-AB3-R广泛应用于各类高效率、高频率的电力转换系统中。在数据中心和服务器电源领域，该器件常用于图腾柱PFC（功率因数校正）电路中，因其低导通损耗和快速开关特性，可显著提升AC-DC转换效率，满足80 PLUS钛金等级的能效要求。在光伏（太阳能）逆变器中，UT3N10G-AB3-R被用于DC-AC变换级，帮助实现更高的能量转换效率和更轻薄的产品设计，同时支持更高的MPPT（最大功率点跟踪）精度。在电动汽车充电桩（OBC车载充电机或直流快充模块）中，该器件适用于双向AC-DC/DC-DC拓扑结构，支持高功率密度和高可靠性运行。
　　此外，该器件也常见于工业电源、UPS不间断电源、焊接设备和电机驱动器中，特别是在需要软开关或谐振拓扑（如LLC、Phase-Shifted Full Bridge）的应用中，其低Qrr和低Coss特性有助于减少开关节点振荡和EMI噪声。通信电源系统同样受益于其高效性能，能够在有限空间内提供更大输出功率。由于其兼容标准驱动电路，无需特殊负压关断设计，降低了系统复杂度和成本。综上所述，UT3N10G-AB3-R适用于所有追求小型化、高效化和高可靠性的中高功率电源应用场景。

UJC06505K-T1-A1
　　UT3N10G-E3-AF-R