TMS27256JLT-25 是 Texas Instruments(德州仪器)生产的一款 256K 位(32K x 8)的高速 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用先进的 CMOS 技术制造,具有低功耗、高速度和高可靠性等特点。TMS27256JLT-25 常用于需要高速数据存储和快速访问的应用场景,如工业控制、通信设备、嵌入式系统以及各种高性能计算设备。该芯片采用 28 引脚 PLCC(塑封有引线芯片载体)封装,便于在各种电路板上安装和使用。
容量:256K 位(32K x 8)
电压范围:4.5V 至 5.5V
访问时间:25ns
工作温度范围:-40°C 至 85°C
封装类型:28 引脚 PLCC
输入/输出类型:三态 CMOS
功耗:典型待机电流 10mA,工作电流 120mA
TMS27256JLT-25 SRAM 芯片具有多项先进的技术特性,确保其在各种应用中稳定可靠。首先,它采用高速 CMOS 工艺制造,使其访问时间低至 25ns,适用于对速度要求较高的系统。其次,芯片支持宽电压范围(4.5V 至 5.5V),增强了其在不同电源环境下的适应性。该芯片还具备低功耗设计,在待机模式下仅消耗约 10mA 的电流,而在全速工作时电流也仅为 120mA,适合对功耗敏感的应用场景。
此外,TMS27256JLT-25 采用三态输出缓冲器,支持高阻抗状态,可防止总线冲突,提高系统稳定性。其 28 引脚 PLCC 封装设计不仅节省空间,而且便于焊接和更换,适用于工业级温度范围(-40°C 至 85°C),确保其在严苛环境中依然可靠运行。该芯片还具有优异的抗干扰能力和良好的热稳定性,使其成为工业控制、数据通信、网络设备等高性能系统的理想选择。
TMS27256JLT-25 SRAM 芯片广泛应用于需要高速存储和低功耗特性的电子系统中。常见的应用包括嵌入式系统中的高速缓存或临时数据存储、工业控制器中的程序存储、通信设备中的数据缓冲、网络路由器和交换机中的临时数据表存储等。由于其低功耗特性,它也常用于便携式设备和电池供电系统中。此外,TMS27256JLT-25 还可用于医疗设备、测试仪器、汽车电子系统等对稳定性和可靠性要求较高的领域。其高速访问能力使其适用于需要快速数据读写的实时控制系统,如工业自动化设备、数据采集系统等。
在硬件设计中,TMS27256JLT-25 可作为主处理器的外部存储器扩展,提升系统的运行效率。由于其兼容性强,可以轻松集成到各种基于 CMOS 的设计中,广泛应用于 8 位、16 位乃至 32 位的嵌入式平台。同时,该芯片的三态输出特性也使其易于与多路复用总线系统连接,适合用于构建复杂的多芯片系统架构。
IS62C256AL-25TLI, CY62256NLL-55SXC, IDT71256SA25PF, HY62256BLP-55