时间：2025/7/26 16:02:49
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VSP01M01ZWDR 是一颗由ROHM（罗姆）公司生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，属于功率MOSFET类别，采用P沟道结构，适用于多种电源管理和开关应用。该器件采用小型化封装，具有较低的导通电阻，并且具备良好的热稳定性和可靠性，适用于便携式设备、电源开关、负载管理等场景。该MOSFET的封装形式为WDFN（极薄双扁平无引脚封装），具备良好的散热性能。
类型：P沟道MOSFET
漏极电流（Id）：1.1A
漏极-源极击穿电压（Vds）：-20V
栅极-源极电压（Vgs）：±12V
导通电阻（Rds(on)）：125mΩ @ Vgs = -4.5V
功率耗散（Pd）：800mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：WDFN1210（4引脚）
VSP01M01ZWDR 作为一款高性能的P沟道MOSFET，具备一系列出色的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在导通状态下损耗极低，从而提高了整体系统的能效。这在电池供电设备中尤为重要，因为它可以延长设备的使用时间。
其次，该器件采用了WDFN封装技术，这是一种无引脚的小型封装方案，具备出色的散热性能。这使得VSP01M01ZWDR可以在有限的空间内实现较高的功率密度，并在高温环境下保持稳定运行。此外，该封装形式也简化了PCB布局设计，减少了寄生电感的影响。
该MOSFET支持高达-20V的漏极-源极电压，适用于多种低压电源管理系统。其±12V的栅极-源极电压范围提供了较大的驱动灵活性，并能有效防止因栅极电压波动导致的误操作。
另外，VSP01M01ZWDR 具有良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。这使其适用于工业级和消费级电子设备，包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、电源适配器以及各种便携式电源管理系统。
最后，该器件的高可靠性设计确保在长时间运行中保持稳定性能，满足现代电子产品对长寿命和高稳定性的需求。
VSP01M01ZWDR 主要应用于需要高效能、小尺寸和低功耗特性的电子系统中。常见的应用包括便携式电子设备的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池充电与放电控制电路。此外，它还广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、LED照明控制以及各种低电压电源管理系统。由于其优异的导通特性和封装设计，该MOSFET也非常适合用于高频开关应用，如电源适配器、电源管理IC（PMIC）外围电路以及各类嵌入式系统的电源控制部分。
Si2301DS, BSS84, FDN340P, 2N7002K
