时间：2025/8/4 8:51:53
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TMR 3-1221 是一种由 TDK-Micronas 生产的霍尔效应传感器芯片，专门用于检测磁场变化并将其转换为电信号输出。该传感器具有高灵敏度、低功耗和高稳定性等特点，适用于无接触位置检测、速度测量和磁场监测等应用场景。
类型：霍尔效应传感器
工作电压：4.5V 至 5.5V
输出类型：模拟电压输出
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装类型：SOIC-8
灵敏度：典型值 2.5 mV/mT
输出偏移电压：最大 ±20 mV
响应时间：典型值 10 μs
磁场测量范围：±100 mT
TMR 3-1221 霍尔效应传感器具有高精度和高线性度，能够提供稳定的磁场测量结果。其宽广的工作电压范围（4.5V 至 5.5V）使其适用于多种电源条件下的应用。该芯片内置温度补偿电路，能够在不同温度环境下保持测量精度的稳定性。此外，TMR 3-1221 的 SOIC-8 封装形式有助于节省电路板空间，并提供良好的机械稳定性。
这款传感器的模拟电压输出可以直接与微控制器或ADC模块连接，无需额外的信号调理电路，简化了系统设计。其快速响应时间（10 μs）使其适用于高速检测和实时监测应用。由于其低功耗特性，TMR 3-1221 非常适合用于电池供电设备和便携式电子系统中。
该芯片还具备良好的抗干扰能力，能够在存在外部电磁干扰的环境中保持测量的准确性。这使得它在汽车电子、工业自动化以及消费类电子产品中具有广泛的应用前景。
TMR 3-1221 主要用于需要高精度磁场检测的场合，如汽车电子中的无接触位置检测（如油门踏板、转向角检测）、电机控制中的速度测量、工业自动化中的磁场监测以及消费类电子产品中的磁性开关等。由于其高稳定性和温度补偿特性，该传感器也适用于恶劣环境下的长期监测任务。
TMR 3-1221 的替代型号包括 TMR 3-1211、HAL 102、HAL 101、Melexis MLX90242、Allegro A1302、AKM AK9223
