TMPF6N65G 时间：2025/8/24 17:16:37 阅读：3

TMPF6N65G是一款高性能的N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换系统设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和高电流承载能力，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动以及电池管理系统等多种应用。TMPF6N65G采用先进的平面工艺制造，确保了良好的热稳定性和电气性能。此外，该MOSFET还具备高dv/dt抗扰能力和优良的雪崩能量耐受能力，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：6A（在TC=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：24A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值1.2Ω（最大值1.5Ω）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等

特性

TMPF6N65G具有多项优异的电气和热性能，适用于高要求的电源管理应用。其主要特性包括：低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率；高耐压能力（650V）适用于高输入电压的电源转换器；良好的热稳定性使其在高温环境下仍能保持稳定运行；高dv/dt抗扰能力增强了器件在高频开关应用中的可靠性；此外，该MOSFET具备优异的雪崩能量耐受能力，能够在负载突变或短路情况下提供更高的安全性。TMPF6N65G还采用先进的平面工艺，提高了器件的耐用性和一致性，适用于高可靠性的工业和消费类电子产品。

应用

TMPF6N65G广泛应用于各类电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、LED照明驱动电路、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及家用电器中的功率控制部分。由于其高耐压和良好的热性能，该器件也适用于工业自动化设备、智能电表、UPS不间断电源以及太阳能逆变器等高可靠性应用场景。