MP150GS是一款由MPS(Monolithic Power Systems)公司推出的高效、高耐压的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要用于高功率密度和高效率的开关电源、电机控制以及工业应用中。MP150GS采用先进的工艺技术,具备较低的导通电阻和较高的电流处理能力,使其在高负载条件下仍能保持良好的热性能和稳定性。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):150V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):40A(在TC=25℃)
脉冲漏极电流(IDM):160A
导通电阻(RDS(on)):典型值为12.5mΩ(最大16mΩ)
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
MP150GS具有多项优异的电气和热性能,使其适用于多种高功率应用场景。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了整体系统的效率。其次,该器件能够承受高达150V的漏源电压,适合用于中高压功率转换电路。此外,MP150GS具备高电流处理能力,能够在高负载条件下稳定运行。
该MOSFET还具备良好的热管理性能,其TO-247封装设计提供了优异的散热能力,确保在高功率应用中保持稳定的工作温度。MP150GS的栅极驱动电压范围较宽,支持±20V,使其兼容多种驱动电路设计,提高了设计的灵活性。
另外,MP150GS在极端温度条件下仍能保持稳定工作,适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用环境。其高雪崩能量耐受能力和抗短路能力也增强了器件的鲁棒性,提高了系统的整体可靠性。
MP150GS广泛应用于多种高功率和高效率的电力电子系统中,包括但不限于:开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、不间断电源(UPS)、工业自动化控制系统以及电动汽车充电模块等。
在开关电源中,MP150GS可用于高侧或低侧开关,提供高效能的功率转换。在电机驱动系统中,它可用于H桥结构,实现电机的正反转控制。此外,在电动汽车和储能系统中,MP150GS可作为主功率开关,用于电池充放电控制或逆变器系统。
由于其高可靠性和优异的热性能,MP150GS也常用于需要长时间高负载运行的工业设备和自动化控制系统中。
IRF1405, SiHF1405, FDP1405, IPW90R150P7