TMM-106-01-T-D 是一种高性能的薄膜混合集成电路,主要用于高频和射频应用。该器件采用了先进的薄膜技术,具备高精度、高稳定性和低寄生效应的特点。
其设计使其非常适合用于滤波器、振荡器以及其他需要高频率特性的电子电路中。此外,由于其封装小巧且具有良好的热性能,因此在空间受限或功率密度较高的场景中也十分适用。
型号:TMM-106-01-T-D
工作频率范围:DC 至 6GHz
插入损耗:≤2dB(典型值)
回波损耗:≥15dB(典型值)
最大输入功率:+30dBm
温度范围:-55°C 至 +125°C
封装形式:表面贴装
尺寸:4.5mm x 4.5mm x 1.2mm
TMM-106-01-T-D 的主要特性包括:
1. 高频响应:该芯片支持从直流到高达6GHz的工作频率范围,能够满足现代通信系统对带宽的需求。
2. 低插入损耗与高回波损耗:确保信号传输效率的同时减少了反射干扰,提升了整体系统的信噪比。
3. 小型化设计:紧凑的封装尺寸使得它非常适配于小型化和便携式设备。
4. 稳定性与可靠性:采用薄膜工艺制造,拥有极高的长期稳定性以及抗环境变化能力。
5. 广泛的工作温度范围:能够在极端条件下保持正常运行,适用于工业及军事领域。
TMM-106-01-T-D 被广泛应用于以下场景:
1. 射频前端模块中的滤波和匹配网络。
2. 微波通信设备如基站、卫星接收器等。
3. 雷达系统中的信号处理单元。
4. 医疗成像设备中的高频信号路径控制。
5. 工业自动化中的无线传感器节点。
6. 汽车电子中的雷达和导航系统组件。
TMM-106-02-T-D, TMM-106-01-S-D