时间：2025/6/17 10:14:45
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STD10NF10T4 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由 STMicroelectronics 生产。该器件采用 TO-263 封装，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换 具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效减少能量损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：10A
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：37nC
总电容：138pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263
STD10NF10T4 提供了卓越的电气性能，适用于高效率开关应用。其主要特点包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保在大电流条件下具有较小的功耗。
2. 高速开关能力减少了开关损耗，并且适合高频应用场景。
3. 采用了先进的制造工艺，保证了产品的稳定性和可靠性。
4. 较宽的工作温度范围使其能够在恶劣环境下正常运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
STD10NF10T4 广泛用于需要高效能功率管理的应用场景，例如：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关元件。
2. 直流/直流转换器中的同步整流器。
3. 各类电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载切换和保护电路。
5. 可再生能源系统中的逆变器和控制器。
此外，它也可以用作通用功率开关或负载控制组件。
STD11NF10T4, IRFZ44N, FDP12N10
