IRGPC60K 时间：2025/12/26 21:15:36 阅读：22

IRGPC60K是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他高效率功率转换系统中。该器件采用先进的沟槽技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和优良的热性能等特点。IRGPC60K特别适用于需要在高频条件下实现高效能转换的应用场景。其封装形式为TO-220，具有良好的散热能力，同时便于安装于各种标准PCB或散热片上。作为一款高性能的功率MOSFET，IRGPC60K能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合工业级应用环境。此外，该器件还具备较强的抗雪崩能力和耐用性，能够在瞬态过压和电流冲击下保持可靠运行，从而提升整个系统的安全性和寿命。由于其出色的电气特性和可靠性，IRGPC60K被广泛用于消费电子、工业控制、照明电源以及绿色能源等领域。

参数

型号：IRGPC60K
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600 V
　　最大漏极电流（Id）：7 A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：1.0 Ω @ Vgs = 10 V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3.0 ~ 5.0 V
　　最大功耗（Pd）：43 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　输入电容（Ciss）：850 pF @ Vds = 25 V
　　输出电容（Coss）：180 pF @ Vds = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：55 ns
　　封装形式：TO-220

特性

IRGPC60K采用英飞凌先进的沟槽栅极技术和场截止结构设计，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体能效。其低导通电阻（Rds(on)）确保在高负载条件下仍能保持较小的功率损耗，减少发热并提高系统效率。该器件具备快速开关能力，支持高频操作，适用于现代高频率开关电源拓扑如LLC谐振变换器、反激式转换器等。其栅极电荷（Qg）较低，有助于降低驱动电路的功耗，同时简化了驱动设计。此外，IRGPC60K具有优异的热稳定性，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能，避免因温度上升导致的性能下降或失效。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能量承受能力，能够在意外过压或感性负载突变时有效保护自身及系统其他元件。其坚固的封装结构和内部连接工艺提升了机械强度和长期可靠性，适用于严苛的工作环境。器件的漏源击穿电压高达600V，适合用于通用交流输入（85~265V AC）的离线式电源系统中。通过优化体内二极管的反向恢复特性，IRGPC60K减少了换向过程中的尖峰电压和电磁干扰（EMI），有助于提升系统EMC性能。此外，该器件符合RoHS环保要求，不含铅和其他有害物质，适用于绿色环保电子产品设计。

应用

IRGPC60K主要用于各类中等功率的开关模式电源（SMPS）中，包括适配器、充电器、LED驱动电源、电视电源板等消费类电子产品。它也广泛应用于工业电源系统、光伏逆变器、UPS不间断电源、电机控制模块以及照明镇流器等场合。由于其具备高耐压和良好热性能，常被用作主开关管或同步整流器件，在反激、正激、半桥和全桥拓扑结构中均有出色表现。此外，该器件还可用于电动工具、家用电器中的电机驱动电路，提供高效的功率切换能力。在需要长时间稳定运行和高可靠性的工业控制系统中，IRGPC60K也展现出优越的适应性。其TO-220封装便于手工焊接和自动化生产，适合多种制造流程。